
霍尔传感器的核心是霍尔效应,由美国物理学家埃德温·霍尔于1879年发现。该效应揭示了电荷载流子在磁场作用下偏转并产生横向电压的现象。
输出连续电压信号,与磁场强度呈线性关系,适用于精密测量场景。
内置比较器,当磁场超过阈值时输出高低电平,常用于开关检测。
现代霍尔传感器已趋向于高度集成,例如将温度补偿电路、信号调理模块、微处理器集成于一体,形成“智能霍尔传感器”。
随着物联网(IoT)设备普及,对微型化、低功耗传感器需求激增。新型霍尔芯片采用CMOS工艺,静态电流可低于1μA,适合电池供电设备。
霍尔传感器虽诞生已久,但凭借其稳定可靠、成本低廉的优势,在工业控制、消费电子、新能源等领域持续焕发活力。未来随着新材料(如二维材料)和先进封装技术的发展,霍尔传感器将在更高精度、更低功耗方向取得突破。
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