
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电转换器件,广泛应用于现代电子系统中。其核心原理是当电流通过导体时,若在垂直方向施加磁场,则导体两侧会产生一个垂直于电流和磁场方向的电压,这一现象被称为霍尔效应。
1. 霍尔效应基本机制:当载流子(如电子)在磁场中运动时,受到洛伦兹力作用发生偏转,导致电荷在导体一侧积聚,形成横向电势差——即霍尔电压。该电压与磁场强度成正比,是霍尔传感器测量磁场的基础。
2. 霍尔传感器结构:通常由半导体材料(如砷化镓或硅)构成,集成有输入输出电极和放大电路。现代霍尔传感器多为集成电路形式,具备高灵敏度、低功耗和温度补偿功能。
优势:
局限性:
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